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中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結(jié)束招股。

俄羅斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因無力償還990萬美元（約合人民幣7200萬元）債務(wù)而宣布破產(chǎn)。

俄羅斯晶圓廠Angstrom-T在近期已經(jīng)宣布破產(chǎn)。

荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進(jìn) VIS 雙方合資（股權(quán)比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動土典禮。

京東方科技集團(tuán)11月15日晚公告稱，擬通過子公司天津京東方創(chuàng)投出資20億元參股北電集成12英寸集成電路生產(chǎn)線項目，該項目總投資33

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南砂晶圓誠邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B12號展位參觀交流、洽談合作

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室許福軍、沈波團(tuán)隊創(chuàng)新

11月6日，北一半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱北一半導(dǎo)體）在其官微宣布其晶圓廠喜封金頂。據(jù)介紹，北一半導(dǎo)體投資20億元在穆棱經(jīng)

西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊與松山湖材料實驗室王新強(qiáng)教授、袁冶副研究員團(tuán)隊，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請一項名為一種光刻機(jī)對準(zhǔn)方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為

團(tuán)聚金剛石技術(shù)是中機(jī)新材在金剛石減薄砂輪領(lǐng)域的一大創(chuàng)新。通過這一技術(shù)，能夠有效地解決微粉磨料的軟團(tuán)聚問題，提高混料的均勻性。

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關(guān)產(chǎn)品的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機(jī)焦距監(jiān)控方法、焦距監(jiān)控掩膜版及其形成方法的專

天眼查顯示，華海清科股份有限公司驅(qū)動機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請

韓國埃珀特功率半導(dǎo)體晶圓研磨及封測項目、予秦半導(dǎo)體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、盛美半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造中心、新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目、銘方集成電路封裝測試及產(chǎn)業(yè)化項目、奧東微波毫米波電子產(chǎn)業(yè)基地項目迎來新進(jìn)展。

韓國埃珀特功率半導(dǎo)體晶圓研磨及封測項目簽約儀式在臨港開發(fā)區(qū)舉行

泰國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向更先進(jìn)的工藝領(lǐng)域拓展，該國首座前端晶圓廠預(yù)計最早于 2027 年投入使用。

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