在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導體器件和集成電路會議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學江蘇省第三代半導體與高能效器件重點實驗室張榮和陸海教授研究團隊入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應研究論文，向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。
近日，中科無線半導體有限公司宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機器人關節ASIC驅動器芯片已正式推出并商用，是專業為具身機
中國科學院蘇州納米所孫錢研究員團隊與土耳其博盧阿巴特伊茲特貝薩爾大學Yilmaz Ercan教授團隊展開聯合攻關，成功開發出基于常關型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的高性能紫外探測器，顯著提升了響應度、紫外-可見截止比、響應速度，為智能傳感、環境監測等領域提供了創新解決方案。該系列研究工作發表于ACS Photonics11, 180 (2024)、Applied Physics Letters 126, 192101 (2025)、IEEE Transactions on Electron Dev
5月23日，2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導體總經理王慶宇應邀出席，發表了題為“氮化鎵賦能未來：突破功率極限，引領能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領域的卓越優勢
近日，澳大利亞激光公司BluGlass展示了其單模氮化鎵（GaN）激光器：單個激光芯片成功實現1250mW的功率輸出，且同時維持單空間模
5月16日，華潤微電子功率器件事業群潤新微電子在大連舉辦氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產基地通線儀式。華潤微電子副總裁莊恒前強
近期，寬禁帶半導體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領域取得重要突破，成
4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱瑞薩電子）達成戰略協議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si
氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導率高、抗輻射能力強等優異性能，在藍綠激
納微半導體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項車規認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市
YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析方法 痕量雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法》標準解讀國標（北京）檢驗認證有限公司劉紅一、
英諾賽科(02577.HK)公告，公司發布了自主開發的1200V氮化鎵(GaN)產品，該款產品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場景優勢顯著，具備零
國家知識產權局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍
國家知識產權局信息顯示，鎵特半導體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應器的專利，授權公告號CN
氮化鎵（GaN）正在重塑半導體行業游戲規則。近日，九峰山實驗室已從材料、器件到產業應用取得一系列突破性成果。九峰山實驗室8英
近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前
九峰山實驗室GaN系列成果首次重磅發布！在顛覆性材料、器件及設計創新、系統級應用創新方面，重磅發布國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）、全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺、動態遠距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗證。
國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申
國家知識產權局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權公告號 CN 222563696 U，