第三代半導體產業技術戰略聯盟標準T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測試方法》已完
【超38億元A輪股權融資創歷史】近日，安徽長飛先進半導體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權融資，融資規模創國內第三代半導體
隨著電力電子應用領域的不斷擴大和需求的增長，絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸的
綠色低碳發展、萬物智能互聯成為全球共識，第三代半導體是推動新能源汽車、智能電網、先進制造、移動通信、新型顯示等產業創新發
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲做《第三代半導體產業發展戰略思考》主題綜述報告。
科學技術部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網等領域有巨大的市場?？萍疾恳恢备叨戎匾暤谌雽w的技術創新和產業發展，從“十五”期間開始給予了長期持續支持，建立了從材料、器件到應用的第三代半導體全產業鏈創新能力。下一步還將與各地方溝通協作，加強統籌謀劃和技術布局，加強人才培養，加強國際合作，推動產業鏈各環節有機銜接，強化以企業為主體、產學研用協同的創新生態。
在中關村論壇上，北京（國際）第三代半導體創新發展論壇舉辦，國聯萬眾二期、晶格領域二期、特思迪半導體二期、銘鎵半導體擴產項目等6個產業項目成功簽約，預計總投資近18億元。順義，一個在全國具有較強影響力的第三代半導體產業集聚區初見雛形。
在5月28日舉辦的2023中關村論壇平行論壇北京（國際）第三代半導體創新發展論壇上，北京市順義區面向全球推介第三代半導體產業發
與第一代半導體（如硅、鍺）和第二代半導體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳
歷時一年半，遵循第三代半導體產業技術創新戰略聯盟CASAS技術報告制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見等流程，技
5月19日，保定第三代半導體產業技術研究院（以下簡稱研究院）在保定市召開籌委會暨第一屆管理委員會第一次會議，會議的召開標志
2023年經濟復蘇力度逐月加快，消費增速回升，制造業投資、基礎設施投資均保持較高增速，經濟發展逐步向高端制造轉型，伴隨著在新
近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導體產業發展論壇在寧波國際會議中心舉行，本次論壇通過深入研討半導體技術應用發展趨勢，
自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電
集微網報道 4月19日-21日，2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業大會在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導體產業技術創
EDA貫穿集成電路（IC）產業設計、制造、封測等各個環節，在芯片產業中不可或缺，不同應用場景下器件結構性、設計流程、仿真驗證
2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇（CASICON 2023）尊敬的各有關單位：第三代半導體是實現雙碳目標、東數西
3月27日上午，市重點工程泰科天潤總部項目舉行開工奠基儀式。泰科天潤總部項目位于中關村順義園第三代半導體產業基地，規劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。項目建成后，將有效帶動順義區第三代半導體產業發展。
3月15日，火炬工業集團與深圳愛科思達科技有限公司（下稱愛科思達）舉行智能電源設備研發制造基地項目簽約儀式。愛科思達公司成
提前布局、抓住先機，北京經開區搶占第三代半導體制高點