據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導體領域的IDM企業(yè)，當前有兩個fab。

其中，F(xiàn)ab1當前已實現(xiàn)SiC產(chǎn)能9000片/月（6英寸），預計2024年底產(chǎn)能將達到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，GaN當前產(chǎn)能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線將于2024年底通線，長遠規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。彭建華表示，方正微電子當前已建成的車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，中國第一。

據(jù)介紹，方正微電子工規(guī) SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產(chǎn)品已于2023年一季度開始大規(guī)模量產(chǎn)，廣泛應用在光伏、儲能、充電、UPS、工業(yè)電源等領域，目前已出貨SiC晶圓超4萬片。除SiC功率器件外，方正微電子開發(fā)的GaN系列功率器件產(chǎn)品已經(jīng)應用于消費快充、PC電源、服務器電源等場景。