國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件的處理方法及半導(dǎo)體器件”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 118888436 A ，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的處理方法，包括：提供半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括碳化硅襯底和位于所述碳化硅襯底一側(cè)的外延層；對(duì)所述碳化硅襯底遠(yuǎn)離所述外延層的一側(cè)進(jìn)行減薄處理；在所述碳化硅襯底遠(yuǎn)離所述外延層的一側(cè)形成凹槽，且所述凹槽的深度小于或者等于所述碳化硅襯底的厚度；在所述碳化硅襯底遠(yuǎn)離所述外延層的 側(cè)形成金屬層且所述金屬層填充所述凹槽本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的處理方法，通過(guò)在碳化硅襯底上進(jìn)行背面凹槽刻蝕，并在凹槽中填充金屬，使得半導(dǎo)體器件能夠獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率。本發(fā)明還公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件。