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芯三代半導體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

發表于:2024-11-13 來源:半導體產業網 編輯:

頭圖

?2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進半導體技術應用創新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

?芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司將攜多款產品亮相此次展會。值此,誠摯邀請第三代半導體產業同仁共聚論壇,蒞臨A09號展位參觀交流、洽談合作。

?芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司執行總監韓躍斌將出席論壇 “強芯沙龍·會客廳”,并分享《基于超高溫CVD技術的第三代半導體碳化硅外延設備的研發和產業化》的主題報告,敬請關注!

報告嘉賓

韓躍斌

韓躍斌

芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司執行總監

演講報告:《基于超高溫CVD技術的第三代半導體碳化硅外延設備的研發和產業化》

演講會場:“強芯沙龍·會客廳”

公司簡介

芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司是一家根植本土,擁有全球高端人才和自主知識產權的尖端半導體芯片制造設備公司,致力于建立以中國為基地、世界領先的泛半導體產業關鍵設備和核心技術平臺。公司目前聚焦碳化硅SiC等高端核心第三代半導體裝備,傾心傾力為客戶提供最適合大規模量產的高性能和穩定的裝備和先進技術方案。并將擴展到泛半導體設備領域,打造泛半導體設備產業航空母艦,樹立全球半導體企業標桿。作為國內成熟的以垂直式、6/8吋兼容為特色的SiC外延設備制造商,芯三代已經大批量出貨6吋設備和8吋設備到10多家頭部及主流客戶,公司目前已經進入到IPO輔導備案階段。

產品簡介

產品名稱:大規模量產型碳化硅外延生長設備(SiC-CVD)

產品型號:SiCCESS 系列單、雙腔垂直流設備

產品

產品參數:

(1)產能:≥1000片/月;通過工藝優化,可超過1200片/月

(2)外延規格:6吋(兼容8吋)

(3)溫區:多區控溫

(4)氣流模型:多區可調噴淋

(5)旋轉速度:0-1000轉/分鐘

(6)最高外延生長速率:≥60微米/小時

(7)片內厚度均勻性:≤2%(可優化到1%以內,δ/平均值,EE5mm)

(8)片內濃度均勻性:≤3%(可優化到2%以內,δ/平均值,EE5mm)

性能說明/產品特點

設備擁有完全獨立的自主知識產權,具有獨創的進氣方式、垂直氣流和精準的溫場控制技術,輔以全自動上下料(EFEM)系統和高溫傳盤等手段,實現了全球領先的技術指標和卓越的性能,填補了國內碳化硅產業的空白。設備具有6/8英寸兼容、低缺陷率、高產能、性價比高、適合厚膜生長、PM周期長容易做、不破真空做P/N 摻、適合多次多層外延和溝槽填充等特點。

參會聯系

大會總體日程1105

注冊參會

張在前

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