?近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。其中650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級下實現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟的功率器件解決方案。

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表1 新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表

與國際競品開關(guān)損耗對比

圖1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET與國際競品開關(guān)損耗對比?

開關(guān)損耗 Eoff/Etotal 在常溫和高溫下均優(yōu)于W*/O*國際競品，高溫下Eon與國際競品W*接近。

圖2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET與國際競品開關(guān)損耗對比

開關(guān)損耗Eoff/Eon/Etotal 在常溫和高溫下表現(xiàn)優(yōu)異，與W*/S*國際競品接近。

在產(chǎn)品交付形態(tài)上，基本半導(dǎo)體提供裸芯片和晶圓兩種形式之外，在封裝方面針對不同應(yīng)用場景進行了全面布局：1200V/13.5mΩ產(chǎn)品提供TO-247-3和TO-247-4封裝；1200V/40mΩ產(chǎn)品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封裝；650V/40mΩ產(chǎn)品則提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多種封裝選擇，為新一代高功率密度、低成本應(yīng)用開發(fā)提供了更為完善的解決方案。

表2 新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品封裝形式

在產(chǎn)品可靠性方面，基本半導(dǎo)體建立了嚴格的閉環(huán)開發(fā)體系，所有產(chǎn)品均通過車規(guī)級以上的關(guān)鍵可靠性項目驗證：??

高溫反偏HTRB：Tj=175℃，VDS=100%BV，1000H，PASS

高溫高濕反偏H3TRB：TA=85℃/85%RH，VDS=80%BV，1000H，PASS

高溫柵極偏壓HTGB+：Tj=175℃；VGS=22V，1000H，PASS

高溫柵極偏壓HTGB-：Tj=175℃；VGS=-10V，1000H，PASS

封裝特性

TO-263-7：貼片封裝，體積小巧。源極引腳采用特殊設(shè)計，電氣性能優(yōu)異，有效降低損耗與噪聲。

HSOP8：薄小外形設(shè)計，多引腳小間距布局，配備散熱結(jié)構(gòu)，展現(xiàn)卓越電氣性能。

TOLL：無引腳設(shè)計，體積小巧，電氣性能好。具有低封裝電阻和寄生電感特性。底部散熱設(shè)計可支持大電流應(yīng)用。

TOLT：頂部散熱結(jié)構(gòu)，提供更高的熱可靠性，特別適合對熱管理要求嚴苛的應(yīng)用場景。

應(yīng)用領(lǐng)域

1200V 13.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車主驅(qū)逆變器、PCS、APF

1200V 40mΩ分立器件及模塊：光伏發(fā)電、儲能系統(tǒng)、充電樁、電焊機、新能源汽車OBC及汽車空調(diào)壓縮機

750V?10.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車主驅(qū)逆變器、新能源汽車OBC及DCDC變換器

650V 40mΩ分立器件：AI算力電源、微型逆變器、通訊電源、儲能系統(tǒng)

基本半導(dǎo)體此次推出的碳化硅MOSFET系列新品在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、熱阻等核心參數(shù)上已達到行業(yè)先進水平。通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和工藝優(yōu)化，基本半導(dǎo)體致力于為客戶提供更優(yōu)性能、更高可靠性的功率半導(dǎo)體解決方案。未來，公司將持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷突破技術(shù)邊界，與合作伙伴攜手共進，推動清潔能源技術(shù)發(fā)展，為構(gòu)建高效、可持續(xù)的能源體系貢獻力量。

（來源：基本半導(dǎo)體）