基于寬禁帶碳化硅（SiC）材料制備的功率MOSFET器件，具有擊穿電壓高、電流密度大、高溫性能穩(wěn)定、高頻特性好等優(yōu)點，在電動汽車、光伏儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)等中高壓領(lǐng)域前景廣闊。

5月22-24日，?“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。?

會議設(shè)有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用，超寬禁帶材料、器件及集成應用，功率集成交叉與應用，先進封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。?

屆時，東南大學副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展》的主題報告，報告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應用等方面出發(fā)，介紹當下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進展，并對未來的發(fā)展趨勢做出展望，敬請關(guān)注！?

嘉賓簡介：魏家行，東南大學副教授，博士生導師。主要從事碳化硅功率半導體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國際會議論文50余篇，其中一作/通訊23篇；授權(quán)PCT專利2項，中國發(fā)明專利15項；主持/骨干參與國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等國家和省部級項目10余項；出版專著1部；獲東南大學“至善青年學者”支持；獲2021年和2023年江蘇省科學技術(shù)二等獎。

會議時間：5月22-24日（5月22日下午報到，23-24日會議日）

會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店（南京市浦口區(qū)象賢路158號）

組織機構(gòu)

指導單位：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任：姚佳飛

副主任：涂長峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設(shè)計、封裝與測試

會議日程

備注：上述日程或有微調(diào)，最終以現(xiàn)場為準。

參會及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯(lián)集成、斯達半導體、中國科學技術(shù)大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、香港大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、國聯(lián)萬眾、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、深圳大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學……等等

活動參與：? ?

注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預報名

備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢：

賈老師? 18310277858??jiaxl@casmita.com

姚老師? 15951945951??jfyao@njupt.edu.cn

張老師? 17798562651? mlzhang@njupt.edu.cn?

李老師? 18601994986??linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系：

賈先生? 18310277858? ?jiaxl@casmita.com

張女士? 13681329411? zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx? ? 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。?

會議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號

郵箱：503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332 ?025-58628888?

嘉賓簡介

魏家行，東南大學副教授，博士生導師。主要從事碳化硅功率半導體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國際會議論文50余篇，其中一作/通訊23篇；授權(quán)PCT專利2項，中國發(fā)明專利15項；主持/骨干參與國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等國家和省部級項目10余項；出版專著1部；獲東南大學“至善青年學者”支持；獲2021年和2023年江蘇省科學技術(shù)二等獎。