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粵芯半導(dǎo)體迎來(lái)發(fā)展史上的又一重大里程碑時(shí)刻。

鎵仁半導(dǎo)體在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大突破

廈門(mén)大學(xué)恒坤科技先進(jìn)半導(dǎo)體材料聯(lián)合創(chuàng)新中心(簡(jiǎn)稱聯(lián)合創(chuàng)新中心)日前在廈大思明校區(qū)簽約揭牌。該中心是廈門(mén)大學(xué)與廈門(mén)恒坤新材料

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽(yáng)投資有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開(kāi)號(hào) CN 119170634 A，申請(qǐng)日期為202

天眼查顯示，蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司近日取得一項(xiàng)名為一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法的專利，授權(quán)

又見(jiàn)跨界收購(gòu)半導(dǎo)體資產(chǎn)，這次是“一代鞋王”奧康。

氮化物基發(fā)光二極管（LED）可廣泛應(yīng)用于照明、顯示及通信領(lǐng)域。其中，光源的線偏振特性作為一項(xiàng)關(guān)鍵的功能擴(kuò)展，為顯示背光、3D

12月24日，華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)儀式在華工激光舉行。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室是武漢市首批10家聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室之一，以半

科瑞半導(dǎo)體實(shí)施功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈倍增計(jì)劃，推進(jìn)第三代半導(dǎo)體等功率器件封測(cè)產(chǎn)線的升級(jí)，于6月投資啟動(dòng)實(shí)施一期項(xiàng)目IGBT、SiC第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)工藝封測(cè)產(chǎn)線建設(shè)，擴(kuò)建半導(dǎo)體功率器件框架生產(chǎn)線，主要應(yīng)用于充電樁、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。

天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月15日，申

據(jù)港交所12月23日披露，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱為天域半導(dǎo)體)向港交所主板提交上市申請(qǐng)書(shū)，中信證券為獨(dú)家保薦人。

該調(diào)查將初步評(píng)估中國(guó)的行為、政策和做法對(duì)碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開(kāi)號(hào) CN 119153

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目將扭轉(zhuǎn)化合物半導(dǎo)體激光器外延片長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面，助力下游半導(dǎo)體激光器、射頻芯片等國(guó)產(chǎn)化。

晶益通半導(dǎo)體官方消息宣布，IGBT模塊材料和封測(cè)模組產(chǎn)業(yè)園一期項(xiàng)目已順利封頂，項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在明年4月竣工并交付使用。

新站高新區(qū)與深記設(shè)備搬運(yùn)安裝有限公司舉行項(xiàng)目簽約儀式，進(jìn)一步助力我區(qū)新型顯示、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

12月14日，由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟主辦、愛(ài)集微承辦的2025半導(dǎo)體投資年會(huì)暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮在上海圓滿舉行。現(xiàn)場(chǎng)，東方晶源微電子科技

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際有限合伙公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開(kāi)號(hào) CN

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延

在近期發(fā)表于 Science 的研究中，德國(guó)赫姆霍茲研究所Christoph J. Brabec和武建昌聯(lián)合廈門(mén)大學(xué)王露遙、卡爾斯魯厄理工學(xué)院 Pascal Friederich和韓國(guó)蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)院Sang Il Seok開(kāi)發(fā)了一種閉環(huán)自動(dòng)化工作流程，首次實(shí)現(xiàn)了針對(duì)光電應(yīng)用的有機(jī)半導(dǎo)體逆向設(shè)計(jì)，通過(guò)大數(shù)據(jù)和機(jī)器學(xué)習(xí)識(shí)別出決定有機(jī)半導(dǎo)體光電性能的關(guān)鍵因素，并將器件性能提升至26.2%的光電轉(zhuǎn)換效率（PCE），這是該領(lǐng)域的重要突破。