今日，意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，
成都辰顯光電有限公司在2024年1月16日宣布，成功點亮了全球首款88英寸P0.5 前維護TFT基Micro-LED拼接屏，這一創新成果不僅代表了
通過一種低成本、易操作的熱退火方法，實現了對PECVD法生長的Ga2O3薄膜的表面調控，并基于能帶調控理論，探索了這種熱重組工程對基于Ga2O3的MSM型電光探測器性能的具體影響，提出了可實現的表面改性方法，涉及寬帶隙半導體Ga2O3的表面物理與光電物理的融合。
半導體產業網獲悉：1月17日，高性能半導體材料科研成果轉化框架協議簽約儀式在青島天安科創城舉行。儀式上，青島大商電子有限公
在國務院新聞辦公室今日舉行的發布會上，國家發展改革委政策研究室主任金賢東介紹，我國新能源汽車產銷量占全球比重超過60%、連
位于科技大廈西展廳，700多平方米的河北科技創新展示服務大廳中，展示著我省百余件最新科技成果，這些展品創新點在哪兒、應用場
據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為一種高動態穩定性的GaN器件，公開號CN117410327A，申請日期為2023年1月。專利摘要顯
人工視覺芯片是一種感算一體化的圖像傳感器，能夠單芯片完成圖像獲取和原位實時智能圖像處理等任務，是一種典型的邊端型智能感知
對于半導體行業而言，最壞的時刻似乎已經過去。
國家第三代半導體技術創新中心（南京）牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術創新聯合體成功入選
親愛的汽車人，感謝您關注EAC2024易貿汽車產業大會暨易貿汽車產業鏈展!
GaN微納米器件涉及納米線陣列LED、納米線柔性LED、納米線激光器、納米線集成光波導等，由于難以實現納米尺寸、空間密度、形貌、結構等的有效控制，限制了納米材料和器件的發展和應用。報告介紹一種新型GaN微納結構的制備方法、光電特性及其紫外探測器件。
SEMI（國際半導體產業協會）在其最新的《世界晶圓廠預測》報告中表示，全球半導體產業月產能將在2023年增長5.5％，達到2960萬片
江西南昌大力推動硅襯底發光二極管藍光技術開發應用。
中科潞安作為深紫外一體化消毒殺菌解決方案供應商，一直致力于研發深紫外核心技術并開發深紫外中高端產品。
理想晶延業界首創的光伏切片電池側壁鈍化 (Edge Passivation Deposition EPD）設備正式整裝出貨！
Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2011年，國內碳化硅產業的幼苗經歷十余年發展完成了晶圓尺寸從2英寸往4英寸迭代，國內導電型碳化硅產品和技術布局剛開始，產業基
中國電科第四十八研究所自主研發的40臺SiC外延爐成功Move in。
目前，江寧開發區第三代半導體產業“第一梯隊”，由國博電子、國盛電子等“中電科系”龍頭企業“領銜”，去年這些龍頭企業相繼迎來重大發展節點。